(1)雖然沉積粒子所釋放的動(dòng)能和結(jié)合能將導(dǎo)致沉積原子附近局部溫度升高，但整個(gè)基體的溫升是極其微小的，因此可認(rèn)為薄膜生長是等溫生長過程。
    (2)當(dāng)人射粒子在基體表面上的能量足夠大時(shí)，該粒子不但可以在膜層表面進(jìn)行遷移運(yùn)動(dòng)，甚至可以在垂直方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，若其下層有空位，還可以穿越到下層填補(bǔ)空位。
    (3)在實(shí)際過程中，單個(gè)粒子的再蒸發(fā)率較高，而一旦1個(gè)粒子與其他粒子相遇并結(jié)合成團(tuán)后，其再蒸發(fā)概率將大為降低，因此可以近似地認(rèn)為，只有單個(gè)粒子可以被再蒸發(fā)到基體外部，而多個(gè)粒子被再蒸發(fā)和分解的可能性很小。
    (4)粒子在基體表面上的運(yùn)動(dòng)分為3種情況:①吸附:粒子被吸附在基體表面。②擴(kuò)散:粒子在基體表面上遷移，其遷移方向應(yīng)使系統(tǒng)整體能量降低。擴(kuò)散包括單個(gè)粒子自由擴(kuò)散和沿簇團(tuán)邊緣擴(kuò)散。③蒸發(fā):粒子在特定的條件下脫離基體表面。